Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM40022EM_GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM40022EM
SQM40022EM_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQM40022EM_GE3, 40V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 150A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.63mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Hızlı açılma/kapanma özellikleri ve düşük geçiş zamanı sayesinde verimli güç yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.63mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok