Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM40020EL_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SQM40020EL

SQM40020EL_GE3 Hakkında

Vishay SQM40020EL_GE3, 40V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drain akımı kapasitesi ve 2.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 150W güç dağıtabilir. 10V kapı geriliminde 165nC kapı yükü ve 8800pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok