Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM40016EM_GE3

MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
SQM40016EM

SQM40016EM_GE3 Hakkında

Vishay SQM40016EM_GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 40V drain-source gerilimi ve 250A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state resistance (Rds On) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında ve 300W maksimum güç tüketiminde kullanılabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok