Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM40014EM_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
SQM40014EM

SQM40014EM_GE3 Hakkında

Vishay SQM40014EM_GE3, 40V ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem gösterir. Güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi yüksek akım gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürüş voltajında aktifleştirilir ve 375W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15525 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok