Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM40010EL_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM40010EL
SQM40010EL_GE3 Hakkında
Vishay SQM40010EL_GE3, N-channel MOSFET transistör olup 40V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan bu FET bileşeni, 1.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolü devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 375W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile güç elektronikleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17100 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok