Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM35N30-97_GE3
MOSFET N-CH 300V 35A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM35N30
SQM35N30-97_GE3 Hakkında
SQM35N30-97_GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 300V drain-source voltajında 35A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 97mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 130nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği taşır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 10V gate-source voltajında tam iletim moduna geçer ve düşük kapı voltajlarında da stabil işlem özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok