Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM30010EL_GE3
MOSFET N-CH 30V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM30010EL
SQM30010EL_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQM30010EL_GE3, N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.35mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, invertörler ve switch-mode güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 375W güç tüketebilir. Gate charge karakteristiği 450nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 450 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok