Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQM25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SQM25N15-52

SQM25N15-52_GE3 Hakkında

Vishay SQM25N15-52_GE3, 150V drenaj-kaynak gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-kanal MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 107W güç yayma kapasitesine sahip olup; güç dönüştürme, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2360 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok