Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM200N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM200N04-1M7L
SQM200N04-1M7L_GE3 Hakkında
Vishay SQM200N04-1M7L_GE3, 40V drain-source gerilimi ve 200A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 1.7mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, elektrikli araçlar, güç kaynakları ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 291nC gate charge ve 11168pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 291 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11168 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok