Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM200N04-1M1L_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM200N04
SQM200N04-1M1L_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQM200N04-1M1L_GE3, 40V drain-source gerilim ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.1mOhm on-state direnci ile yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, elektrik araç batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 375W maksimum güç tüketimi ile ağır yüklü DC-DC konvertörlerde ve PWM kontrol devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 413 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20655 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok