Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM120P04
SQM120P04-04L_GE3 Hakkında
Vishay SQM120P04-04L_GE3, 40V drain-source voltajında 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, 375W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Yüksek akım uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevlerinde, özellikle motor kontrolü, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve industrial anahtarlama devrelerinde kullanılır. 10V Vgs'te 330nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13980 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok