Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM120N10
SQM120N10-3M8_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQM120N10-3M8_GE3, 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 3.8mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 190nC gate yükü ve 7230pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 375W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel motor kontrolü, inverter devreleri, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok