Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM120N10-09_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM120N10-09
SQM120N10-09_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQM120N10-09_GE3, 100V drain-source voltaj ve 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (9.5mOhm @ 30A, 10V) ile güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi yüksek akımlı uygulamalarda kullanılır. 375W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sağlam bir tasarım sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8645 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok