Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM120N06-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM120N06
SQM120N06-3M5L_GE3 Hakkında
SQM120N06-3M5L_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 3.5mΩ düşük on-direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışan cihaz, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 10V gate sürüş gerilimi ile tetiklenen transistör, hızlı anahtarlama karakteristiğine ve düşük kapasitansa sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok