Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM120N04-1M9_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM120N04
SQM120N04-1M9_GE3 Hakkında
SQM120N04-1M9_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source geriliminde 120A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 1.9mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 300W güç tüketebilir. 270nC gate charge ve 8790pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok