Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM120N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM120N04
SQM120N04-1M7L_GE3 Hakkında
Vishay SQM120N04-1M7L_GE3, 40V drain-source geriliminde 120A sürekli dren akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 1.7mΩ on-resistance (Rds On) değerine sahiptir. Gate charge karakteristiği 285nC olup, -55°C ile +175°C arasında çalışabilmektedir. Düşük on-resistance değeri nedeniyle güç uygulamalarında ısıl kayıpları minimize eder. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 375W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14606 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok