Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM120N03-1M5L_GE3
MOSFET N-CH 30V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM120N03
SQM120N03-1M5L_GE3 Hakkında
Vishay SQM120N03-1M5L_GE3, 30V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. TO-263 paketlemesi ile surface mount uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 1.5mΩ (10V, 30A koşullarında) maksimum Rds(On) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. 270nC gate charge ve 2.5V threshold voltage değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15605 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok