Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM110P06
SQM110P06-8M9L_GE3 Hakkında
Vishay SQM110P06-8M9L_GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 110A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 8.9mOhm düşük RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 200nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 230W güç dağıtma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok