Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM110P04-04L-GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM110P04
SQM110P04-04L-GE3 Hakkında
SQM110P04-04L-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source geriliminde 120A sürekli dren akımı sağlayabilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 4mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük ısı kaybı ve yüksek verimlilik sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve invertör sistemlerinde kullanılır. 375W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile ağır endüstriyel uygulamalara uygun bir seçenektir. Not: Ürün obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13980 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok