Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM10250E
SQM10250E_GE3 Hakkında
SQM10250E_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 65A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 375W güç tüketimine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 30mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok