Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM100P10-19L
SQM100P10-19L_GE3 Hakkında
Vishay SQM100P10-19L_GE3, 100V drain-source gerilim ile çalışabilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 93A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 19mΩ maksimum gate-source direnci (10V'de) sayesinde düşük güç kaybı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılabilir. 350nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, inverter devreleri, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 375W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile zorlu endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 93A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok