Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM100N10-10_GE3
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM100N10
SQM100N10-10_GE3 Hakkında
Vishay SQM100N10-10_GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 10.5mOhm On-Resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 375W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok