Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQM100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQM100N02
SQM100N02-3M5L_GE3 Hakkında
Vishay SQM100N02-3M5L_GE3, N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (3.5mOhm @ 10V) ile güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W maksimum güç tüketimine dayanır. 2.5V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok