Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ480E-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ480E
SQJQ480E-T1_GE3 Hakkında
SQJQ480E-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 150A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı paket formatında sunulmaktadır. 3mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç dağılımını minimize eder. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama güçleri, motorlar, voltaj regülatörleri, enerji yönetimi devreleri ve elektrik araçları gibi alanlarda uygulanır. 144nC gate yükü ve 8625pF giriş kapasitesi hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 144 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok