Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ466E-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ466E
SQJQ466E-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ466E-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 8x8 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 1.9mΩ on-direnç değeri ile enerji kaybını minimize eder. Güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, batarya yönetim sistemleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihazlarda güvenilir performans sağlar. 10V gate sürücü geriliminde 180nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok