Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ410EL
SQJQ410EL-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ410EL-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 100V drain-source voltaj, 135A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C aralığında çalışabilir ve 136W güç disipasyonu kapasitesi bulunur. Endüstriyel güç denetim uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 135A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok