Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ402E
SQJQ402E-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ402E-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 40V drain-source gerilimi ve 200A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 1.7mOhm'dur. 150W güç yayılım kapasitesi ile çıkış anahtarlama, motor kontrol, güç dönüştürücü ve batarya yönetim uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, düşük on-direnç ve hızlı anahtarlama özellikleri ile endüstriyel ve otomotiv sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok