Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ160E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ160E
SQJQ160E-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ160E-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistördür ve otomotiv uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ile medium güç seviyesi uygulamalarında çalışır. 602A sürekli dren akımı kapasitesi ve 0.85mOhm iletim direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 275nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği vardır. PowerPAK® 8x8 yüzey montajlı paketlemesi kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç dağıtımı, batarya yönetim sistemleri ve otomotiv anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 602A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16070 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.85mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok