Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ150E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ150E
SQJQ150E-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ150E-T1_GE3, 40V drain-source voltajı ile çalışan automotive sınıfı N-Channel MOSFET transistördür. 233A sürekli dren akımı ve 1.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 8x8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, otomotiv sistemleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilir ve 187W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir. ±20V gate voltaj toleransı ile geniş uygulamalar alanına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 233A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4643 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok