Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ142E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ142E
SQJQ142E-T1_GE3 Hakkında
SQJQ142E-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 460A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.24mOhm on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. Otomotiv, endüstriyel güç yönetimi, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 500W maksimum güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 460A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6975 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.24mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok