Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ140E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ140E
SQJQ140E-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ140E-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim kapasitesine ve 701A sürekli drenaj akımına sahiptir. 0.53mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® 8x8 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. 600W güç saçma kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında, motor kontrol, güç dağıtımı ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve otomotiv elektronik sistemlerinde kullanılmaktadır. 10V gate sürüş gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 701A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 288 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.53mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok