Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ131EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ131EL
SQJQ131EL-T1_GE3 Hakkında
SQJQ131EL-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen automotive-grade P-Channel MOSFET transistördür. 30V (Drain-Source) voltaj derecesinde tasarlanmış olup, 280A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlayarak enerji kaybını minimize eder. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Otomotiv uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600W güç disipasyon kapasitesi ile güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 280A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 731 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 33050 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok