Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ112ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ112ER
SQJQ112ER-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ112ER-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama ve PWM uygulamalarında kullanılır. 296A sürekli drenaj akımı ve 2.53mΩ on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® 8x8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Otomotiv endüstrisi, endüstriyel kontrol sistemleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 296A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 272 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15945 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.53mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok