Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ100E
SQJQ100E-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ100E-T1_GE3, 40V ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponen, 10V gate sürüş geriliminde 1.5mOhm on-resistance karakteristiğine sahiptir. Gate yükü maksimum 165nC ve kapı-kaynak gerilim aralığı ±20V olan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 150W maksimum güç tüketimiyle güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok