Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA96EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA96EP
SQJA96EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJA96EP-T1_GE3, N-channel MOSFET transistöründür. 80V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri ve motorlu sistemlerde tercih edilir. 10V sürüş geriliminde 21.5mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 48W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve düşük kapı yükü (25nC @ 10V) karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok