Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA72EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA72EP
SQJA72EP-T1_GE3 Hakkında
SQJA72EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile 37A sürekli drain akımına (Id) kapasite sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile sunulur. 19mOhm maksimum açık kanal direnci (Rds On) ve 30nC maksimum gate yükü özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Voltaj düzenleyiciler, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, düşük açık kanal direnci sayesinde yüksek verimlilik gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok