Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA70EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA70EP
SQJA70EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJA70EP-T1_GE3, N-channel MOSFET transistörü olup 100V drain-source gerilimi ile 14.7A sürekli dren akımı sağlamaktadır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile tasarlanan bu bileşen, 27W güç dağıtım kapasitesine ve 95mOhm RDS(on) değerine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde çalışan transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Geniş bant genişliği (220pF giriş kapasitanslı) ve düşük gate yükü (7nC) özellikleriyle motor kontrolü, elektrik beslemesi, invertör ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok