Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA68EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA68EP
SQJA68EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJA68EP-T1_GE3, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8L yüzey montajlı paket kullanarak kompakt uygulamalar için elverişlidir. 92mOhm maksimum on-direnci (10V, 4A koşullarında) ve 45W güç tüketim kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılabilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ortamlar için uygun hale getirmektedir. Gate threshold gerilimi maksimum 2.5V olup TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8L |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8L |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok