Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA60EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA60EP
SQJA60EP-T1_GE3 Hakkında
SQJA60EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 30A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-dirençi (12.5mOhm @ 10V) ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, battery management sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 4.5V ve 10V drive voltajı seçenekleri ile farklı kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok