Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA42EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA42EP
SQJA42EP-T1_GE3 Hakkında
SQJA42EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (9.4mOhm @ 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 27W güç dissipasyonuna dayanabilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama özellikleri ve kompakt paket avantajıyla endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok