Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA38EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA38EP
SQJA38EP-T1_GE3 Hakkında
SQJA38EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (3.9mOhm @ 10A, 10V) sayesinde ısı kaybını minimize eder ve verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve yüksek akım gerektiren güç elektrik devreleri tasarımlarında tercih edilir. 68W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ağır yüklü endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok