Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA34EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA34EP
SQJA34EP-T1_GE3 Hakkında
SQJA34EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 75A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç kayıpları sağlar. 4.3mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile anahtarlama hızı gerektiren uygulamalarda verimli çalışır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +175°C arasında güvenilir işletme sağlar. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, güç dağıtımı ve inverter uygulamalarında kullanılır. 68W maksimum güç saçabilme kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok