Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA26EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA26EP
SQJA26EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJA26EP-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 410A sürekli drenaj akımı ve 0.77mOhm RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek üzere geliştirilmiştir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygun olan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, enerji dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 500W maksimum güç tüketebilen bu FET, yüksek akım ve düşük ısı dissipasyon gerektiren endüstriyel ve otomotiv elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9778 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.77mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok