Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQJA16EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK SO-8
Seri / Aile Numarası
SQJA16EP

SQJA16EP-T1_GE3 Hakkında

Vishay SQJA16EP-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim ile çalışan bu bileşen, 278A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, düşük 3mΩ on-resistance değeri sayesinde anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve enerji dağıtım sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlayan bu MOSFET, 500W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile otomotiv kontrol modüllerinde, motor sürücülerinde ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 278A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5485 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok