Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJA02EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJA02EP
SQJA02EP-T1_GE3 Hakkında
SQJA02EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.8mΩ (10A, 10V şartlarında) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PowerPAK SO-8 SMD paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 68W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok