Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ868EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ868EP
SQJ868EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ868EP-T1_GE3, 40V drain-source voltajına ve 58A sürekli drain akımına sahip N-Channel MOSFET'tir. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 7.35mOhm RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 48W maksimum güç tüketimi desteği veren SQJ868EP, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 55nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.35mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok