Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ850EP
SQJ850EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ850EP-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 24A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 23mOhm on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 45W güç tüketebilir. Gate charge değeri 30nC olup, 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Surface mount montajı için uygun tasarımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok