Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ848EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ848EP
SQJ848EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJ848EP-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 47A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 7.5mΩ Rds(on) değeri ve 68W maksimum güç dağılımı özelliği ile güç elektronikleri devrelerinde anahtarlama elemanı olarak işlev görmektedir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı kapsülü sayesinde kompakt tasarım gerektiren uygulamalara uygundur. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok