Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ486EP
SQJ486EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJ486EP-T1_GE3, N-channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. PowerPAK SO-8 yüzey montajı kasa ile sunulan transistör, 26mΩ (maksimum) RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 34nC ile hızlı anahtarlama özellikleri barındırır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 56W maksimum güç yayılması kapasitesi, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1386 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 51A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok