Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQJ479EP
SQJ479EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ479EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj kapasitesi ile 32A sürekli drenaj akımında çalışabilir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 33mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında kullanılabilen ve 68W güç saçan bu transistör, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. 4500pF giriş kapasitansi ve 150nC gate yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama operasyonlarında etkin performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok